SK하이닉스, 차세대 HBM 발열 해법…‘iHBM’ 기술 공개

패키지 내부에 냉각 요소 심어 열저항 30% 이상 낮춰
HBM5부터 적용 추진…AI 데이터센터용 메모리 경쟁력 강화

[마이데일리 = 윤진웅 기자] SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 패키지 내부에 냉각 기능을 넣어 발열을 낮추는 신기술을 공개했다. 적층 단수 확대와 고속화로 갈수록 커지는 HBM 발열 문제를 구조적으로 풀겠다는 것으로, 차세대 AI 메모리 경쟁에서 우위를 굳히려는 행보로 풀이된다.

SK하이닉스는 26일 HBM 패키지에 일체형 냉각 요소 ‘ICE’를 내재한 ‘iHBM’ 기술을 공개했다고 밝혔다.

iHBM의 핵심은 발열이 가장 집중되는 구간에 별도 냉각 경로를 만든 데 있다. 기존 HBM이 코어 다이를 거쳐 열을 외부로 내보내는 간접 방식에 의존했다면, iHBM은 HBM 베이스다이와 AI 고속 다이 사이 초고속 데이터 통신 구간인 D2D PHY 영역 안에 열 제어 소자를 넣어 열이 빠져나가는 전용 통로를 따로 확보했다.

이를 통해 SK하이닉스는 기존 대비 열저항을 30% 이상 낮추고, 고온·고부하 환경에서도 안정적인 동작 특성을 유지할 수 있다고 설명했다.

양산성도 고려했다. 시장에서 검증된 어드밴스드 MR-MUF 기반 WLP 공정을 적용해 안정적인 대량 생산이 가능하도록 했다. 고객사의 기존 SiP 환경과 높은 설계 호환성을 확보해 큰 설계 변경 없이 적용할 수 있다는 점도 강점이다.

SK하이닉스는 이 기술을 HBM5 등 차세대 제품부터 적용해 고성능 컴퓨팅(HPC)과 AI 데이터센터 등 초고집적·초고대역폭 환경에서 요구되는 열 관리 수준을 충족시킨다는 계획이다.

이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)은 “iHBM은 메모리 설계 역량과 첨단 패키징 기술을 결합해 개발한 발열 최소화 솔루션”이라며 “AI 환경에서 고객이 필요로 하는 가치를 선제적으로 제공해 AI 메모리 리더십을 더 공고히 하겠다”고 말했다.

윤진웅 기자 woong@mydaily.co.kr
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